アドバンテスト、次世代メモリの歩留まり率向上と高性能化の実証実験に成功

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アドバンテスト、次世代メモリの歩留まり率向上と高性能化の実証実験に成功

2018/5/21 8:55 FISCO

*08:55JST アドバンテスト、次世代メモリの歩留まり率向上と高性能化の実証実験に成功アドバンテスト<6857> 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター（CIES）と共同で、次世代メモリとして期待されている「スピン注入型磁気ランダム・アクセス・メモリ（STT-MRAM）」の歩留まり率向上と高性能化の実証実験に成功したと発表している。MRAMは従来の半導体メモリの課題を解決するメモリとして注目されており、半導体関連としての位置づけが一層高まる展開が期待される。（村山大知）

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アドバンテスト

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時価総額 4,695,850百万円

半導体検査装置大手。メモリ用に強い。非メモリ用も強化中。電子ビーム露光装置も。24.3期3Q累計はメモリ向けが1Qを底に上向く。だが非メモリ向けの回復に遅れ。償却費増も利益の重石。総還元性向5割以上目安。　記：2024/04/15