三菱電、SiCパワー半導体の抵抗を3分の1に低減

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三菱電、SiCパワー半導体の抵抗を3分の1に低減

2017/12/6 8:55 FISCO

*08:55JST 三菱電、SiCパワー半導体の抵抗を3分の1に低減三菱電<6503> 東京大学と共同で、世界初となるSiC（炭化ケイ素）パワー半導体の抵抗を約3分の1に低減させる技術を開発したと発表。SiCパワー半導体は電力の変換・制御に使用されており、従来のシリコン製のものに比べ電力損失が少ないのが特徴。今回開発したを活用することで、自動車や家電製品の消費電力の低減が期待される。（村山大知）

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総合電機大手。FA機器や自動車機器、昇降機、パワー半導体に強み。鉄道車両機器なども。24.3期3Q累計はFA機器が低調。だが自動車機器やインフラ関連が好調で増収増益に。4Qにルネサス株売却特益を計上予定。　記：2024/04/12